6ES7 314-1AG14-0AB0 处理器与结构的改变
当然,手机(http://www.maoyihang.com/sell/l_25/)最主要的就是处理器了。5G刚发布时,由于技术原因,都选择了外挂基带设计。但是这一设计,至少需要增加基带+基带内存+基带电源芯片,非常占用主板空间。因此最早的5G手机通常采用双层板设计来解决,成本上也更高。
所以在19年发布的5G手机,例如:三星S10 5G和Note10+ 5G;华为Mate 30 Pro 5G和Nova 6 5G;IQOO Pro 5G;小米9 Pro和中兴天机10 Pro等均采用双层板设计。而20年,目前仅IQOO3中发现了双层板设计。
而同厂商的基带方案又有所不同,例如:高通X50M和三星Exynos 5100基带芯片中集成了基带内存芯片。
但是海思的巴龙5000基带内存,并没有集成。而是使用了两种方式放置独立芯片,一种是POP堆叠封装,在基带上堆叠焊内存芯片;还有一种就是直接放置在主板上。但是海思这种早期的5G方案,相较于高通和三星的基带方案,更加麻烦。
但是这一情况并没有持续多久,在19年末,海思麒麟990 5G、三星Exynos 980和高通骁龙765G都实现了处理器内置5G基带。
6ES7 314-1AG14-0AB06ES7431-0HH00-0AB0
S7-400 16DI 24-60VUC
6ES7421-7DH00-0AB0
S7-400 16DO 24VDC 2A optic. isolated
6ES7422-1BH11-0AA0
S7-400 32DI 24VDC opt.isolated
6ES7421-1BL01-0AA0
6ES7421-1BL00-0AA0
S7-400 32DO 24VDC 0,5A floating Diagnostics
6ES7422-7BL00-0AB0
S7-400 32DO 24VDC 0,5A opt.isolated
6ES7422-1BL00-0AA0
S7-400 8AI Resistor/PT100/NI100 isolated
6ES7431-7KF10-0AB0
S7-400 8AI U/I/Resist/Thermo/Pt100
6ES7431-1KF10-0AB0
S7-400 8AI/U/I/Resist
6ES7431-1KF00-0AB0
S7-400 8AO opt. Isolated
6ES7432-1HF00-0AB0
S7-400 Adapter module
6ES7470-0AA00-0AA0
S7-400 Cable Duct
6ES7408-0TA00-0AA0
S7-400 CP441-1 for point to point
6ES7441-1AA04-0AE0
6ES7441-1AA03-0AE0
6ES7441-1AA00-0AE0
S7-400 CP441-2 for point to point
6ES7441-2AA04-0AE0
6ES7441-2AA03-0AE0
6ES7441-2AA02-0AE0
6ES7441-2AA01-0AE0
S7-400 CP443-1
6GK7443-1EX20-0xE0
6GK7443-1EX11-0xE0
6GK7443-1EX10-0xE0
S7-400 CP443-1
6GK7443-1EX02-0xE0
6GK7443-1EX01-0xE0
6GK7443-1EX00-0xE0
S7-400 CP443-1 ADVANCED
6GK7443-1EX41-0xE0
S7-400 CP443-5
6GK7443-5DX04-0xE0
6GK7443-5DX02-0xE0
6GK7443-5DX00-0xE0
S7-400 CPU 412-1
6ES7412-1XJ05-0AB0
S7-400 CPU 412-1