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图2所示为时域中的开关行为示例。在这个示例中，我们考虑在非间歇工作模式下的降压型开关稳压器；即，在连续导通模式下。占空比与开关频率无关。时段T一般在20 μs (50 kHz)和330 ns (3 MHz)之间。如果输入电压和输出电压的值相同，那么需要占空比 = 1。这意味着，只存在导通时间，不存在关断时间。但是，并非每个开关稳压器都能实现。如图1所示，为了实现这个占空比，高压侧MOSFET必须持续导通。如果这个开关设计为N通道MOSFET，其栅极电压需要高于电路的输入电压，器件才能运行。

如果每次导通之后都需要关断一定时间（占空比<1时的情形），根据电荷泵原理，可以轻松生成比电源电压高的电压。但是，对于100%占空比，这不可能实现。所以，对于占空比为100%的开关稳压器，要么采用不依赖开关稳压器MOSFET、*立运行的精密电荷泵，要么将图1所示的高压侧开关设计为P通道MOSFET。这些都会导致工作量和成本增加。

图2. 降压型开关稳压器开关的时域表示（CCM模式下线圈电流）。

图3所示为开关稳压器 ADP2370，该稳压器通过将P通道MOSFET用作高压侧开关来实现100%占空比。对于这种类型的降压转换器，输入电压可以降低*非常接近输出电压。将P通道开关集成到开关稳压器中，可以避免产生额外成本。

图3. 可实现100%占空比的开关稳压器示例。

如果应用要求输入电压能够降*非常接近输出电压设置点的水平，则应选择允许占空比 = 1或100%的开关稳压器。